此次EUV设备采购很可能直接服务于SK海力士加速推进1c制程的计划，该制程预计将应用于HBM、DDR5及LPDDR6等关键下一代产品。

　　SK海力士目前使用1b制程生产HBM4核心晶粒，计划在HBM4E产品上切换至1c DRAM制程，逻辑晶粒则继续依赖台积电3纳米工艺。

　　该公司近期提前开放了位于清州M15X晶圆厂的第二洁净室，并将设备安装计划较原定5月时间表提前约两个月启动，目前两座洁净室均已进入全面运营准备阶段。

　　该公司率先在利川M16工厂部署High-NA EUV设备用于内存量产，成为全球首家将该技术引入存储芯片量产的制造商。该报告还显示，SK海力士计划到2027年再引进约20台EUV设备，届时其EUV机队规模将较当前翻倍。

　　每台EUV设备的采购价格为3000亿至5000亿韩元，以此估算，SK海力士在EUV领域的总投资预计将超过6万亿韩元。如此规模的设备投入，集中折射出这家存储巨头在下一代内存制造竞争中押下重注的战略决心。