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三星公布首批2纳米芯片性能数据,加速追赶台积电

发布时间:2025-11-19 已有: 位 网友关注

  三星电子首次公布了其即将推出的2纳米芯片工艺的首批性能数据。首代2纳米工艺采用了全栅极环绕晶体管技术,相比第二代3纳米工艺,性能提升5%,功耗效率提高8%,芯片面积缩小5%。

  三星近期已开始为美国人工智能初创公司Chaboraite生产基于4纳米工艺的处理器芯片。此外,三星还在2纳米工艺上与特斯拉等公司展开合作。

  韩国业内人士认为,尽管台积电目前占据绝对优势,但从2纳米节点开始,全球晶圆代工市场的竞争可能会加剧。

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