继美光之后，韩国芯片制造商SK海力士正计划停止生产部分消费级DRAM和NAND Flash产品，将核心资源集中转向B2B与AI服务器市场。

　　作为这一战略转型的关键举措，SK海力士周二正式宣布，将投资19万亿韩元在韩国清州新建一座先进封装工厂，以应对英伟达等科技巨头对高带宽内存激增的订单需求。

　　随着各大企业将产能大规模向AI驱动的高端产品倾斜，传统存储芯片供应已现紧张迹象，并显著推高了产品价格。研究机构TrendForce预计，本季度包括HBM在内的DRAM平均价格环比涨幅将在50%至55%之间。三星电子与SK海力士也计划在2026年第一季度将服务器DRAM价格进一步提升60%至70%，这一涨价趋势或将在未来数年内持续。

　　AI需求意外强劲，内存超级周期预计将至少持续到2027年

　　SK海力士此次高达129亿美元的投资计划，不仅是为了扩大产能，更是为了突破技术瓶颈。根据

　　届时，新工厂将大幅提升SK海力士将多个存储芯片集成至单一高密度单元的能力。这种先进封装工艺能够在减小芯片整体尺寸的同时，显著提升数据处理速度和能源效率，对于满足下一代AI处理器对带宽和能耗的严苛要求至关重要。

　　市场分析指出，半导体行业资本支出的重心正在向AI相关基础设施倾斜。野村认为，得益于AI服务器对DRAM需求的意外强劲以及企业级固态硬盘需求的激增，全球内存行业的“超级周期”将比预期持续更久，预计这一上行周期将至少延续至2027年。

　　鉴于供应端的大规模产能释放最早要等到2028年，野村预计未来几年内存市场将维持供不应求的局面。受此利好影响，野村重申了对三星电子和SK海力士的“买入”评级。野村将三星电子的目标价上调6.7%至16万韩元，将SK海力士的目标价上调4.8%至88万韩元，认为两家公司的估值相较于行业同行仍具吸引力，且随着盈利能力的显著改善，股价仍有约45%-50%的上涨空间。