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三星推进先进制程工艺:2纳米良率突破60%,目标2030年实现1纳米

发布时间:2026-03-31 已有: 位 网友关注

  三星晶圆代工部门已明确将1纳米制程的导入时间定为2030年,届时将引入叉片全新架构技术。与此同时,该公司2纳米制程良率最高已超过60%,生产效率显著改善,外界普遍预期其晶圆代工业务有望在今年实现盈利。

  Rapidus首席技术官Kazunari Ishimaru表示,公司目标是在1纳米节点将与台积电的技术差距缩短至约六个月。Rapidus计划于2026年启动1.4纳米半导体制造技术的研发,量产目标定在2029年前后。

  台积电方面进度则更为领先。台积电1纳米制程有望率先在中部科学园区落地,首座晶圆厂预计最快于2027年底完成试产,并于2028年下半年转入量产。若台积电时间表如期推进,将较三星领先约两年。不过,随着三星2纳米良率持续改善、1纳米路线图趋于清晰,其追赶台积电的战略轮廓已愈发明朗。

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