二季度合同价格报价显示DRAM环比涨幅达58%至63%，NAND环比涨幅达70%至75%，核心驱动因素在于CPU内存需求上升以及LPDDR5X供给趋紧。

　　摩根大通指出，更高的二季度利润基数有助于抵消劳动力成本增加的影响，市场投资者目前似乎正在定价乐观情景，即罢工反而可能成为二、三季度合同价格谈判的正向催化剂。

　　摩根大通的2026年盈利预测本已高于彭博一致预期，前者预测DS部门营收为47.09万亿韩元，而一致预期为44.32万亿韩元。DRAM平均销售价格涨幅预测为260%，显著高于一致预期的219%。

　　短期承压，长期逻辑不变

　　摩根大通坦承，罢工相关的不确定性可能在短期内压制股价表现，并不排除三星跑输内存同业的可能性。

　　数据显示，自4月以来，三星电子股价累计上涨约60%，而SK海力士同期涨幅高达约122%，韩国综合股价指数涨幅约48%。

　　但摩根大通的中长期逻辑保持不变：内存上行周期更高、更持久，叠加HBM执行能力持续改善。

　　现有目标价基于2026至2027年预测市净率2.2倍，较历史动态市净率峰值周期估值溢价10%，以反映多年内存上行周期及代工订单动能改善。

　　分析师同时提示下行风险包括：内存价格下行周期延长、ASIC客户HBM需求弱于预期，以及HBM未来产品代认证进度滞后。