摩根士丹利分析师在11月23日的报告中表示，三星在高带宽内存领域已实现全面追赶。三星HBM3e产品目前已向所有AI计算客户出货，而HBM4产品正在进行多重资质认证测试，首批结果预计将在12月初公布。

　　与竞争对手不同，三星无需修改设计要求，凭借1c DDR5前端技术、4nm逻辑基础晶粒和低功耗特性，在产品质量和规格方面保持领先优势。特别是在高速>11 Gbps领域的独特优势，以及从DRAM到代工再到封装的端到端解决方案能力，使其有望显著提升市场份额。

　　分析师强调，作为DRAM行业命运的关键掌控者，三星目前拥有50万片DRAM有效产能，远超竞争对手。DRAM订单履约率已降至客户需求的70%左右，可见度延续至2026年上半年。

　　然而，三星管理层采取了更为理性的策略——不愿追逐市场热潮，而是与关键客户合作，根据真实需求实现可持续盈利。P4厂房超过10万片/月的设计产能为内存和代工业务提供了充足的扩张空间。

　　代工业务最坏时刻已过，2nm工艺赢得多个订单

　　分析师认为，三星代工业务正迎来复苏曙光。利用率提升和先进制程性能改善将推动盈利复苏。三星以客户为中心的文化转变已开始显现成效，在2nm制程领域赢得多个订单。尽管产量仍需提升，寻找特斯拉以外的大客户仍是优先任务，但整体前景明显改善。

　　基于供应短缺环境下的强劲定价能力，摩根士丹利预计三星2026年每股收益将达到14,464韩元，较当前市场共识预期9,800韩元高出近50%。这一盈利增长有望推动市盈率倍数的改善。分析师特别指出，市场对三星特定的积极进展准备不足，从相对盈利修正到技术领先地位的转变，都可能成为股价催化剂。